Tetrossido di trimanganese

Tetrossido di trimanganese
Nomi alternativi
tetrossido di manganese, ossido di manganese(II,III)
Caratteristiche generali
Formula bruta o molecolareMn3O4
Massa molecolare (u)228,81
Aspettopolvere marrone-nera inodore
Numero CAS1317-35-7
Numero EINECS215-266-5
PubChem14825
SMILES
O[Mn]=O.O[Mn]=O.[Mn]
Proprietà chimico-fisiche
Densità (g/cm3, in c.s.)4,86[1]
Solubilità in acquapraticamente insolubile[1]
Temperatura di fusione1 705 °C (1 978 K)[1]
Proprietà termochimiche
ΔfH0 (kJ·mol−1)-1387,8[2]
ΔfG0 (kJ·mol−1)-1283,2[2]
S0m(J·K−1mol−1)155,6[2]
C0p,m(J·K−1mol−1)139,7[2]
Proprietà tossicologiche
DL50 (mg/kg)>2000 (oral rat)[3]
Indicazioni di sicurezza
Frasi H-- [4][5]
Consigli P--

Il tetrossido di trimanganese è il composto binario di formula Mn3O4, presente anche in natura nel minerale hausmannite. Il manganese è presente in due stati di ossidazione, +2 e +3, e la formula viene talvolta scritta come MnIIMnIII2O4 o anche MnO⋅Mn2O3.

Struttura[modifica | modifica wikitesto]

Mn3O4 ha una struttura tipo spinello, dove gli ioni ossido hanno un arrangiamento cubico compatto, e i cationi MnII e MnIII occupano rispettivamente siti tetraedrici e ottaedrici.[6] La struttura è distorta a causa dell'effetto Jahn-Teller.[6] A temperatura ambiente Mn3O4 è paramagnetico, mentre sotto 43 K è ferrimagnetico.[7] In campioni nanocristallini questa temperatura di transizione si riduce a 39 K.[8]

Sintesi[modifica | modifica wikitesto]

Mn3O4 si forma scaldando qualsiasi ossido di manganese all'aria sopra 1000 °C.[6] Esistono inoltre numerose ricerche sulla sintesi di Mn3O4 nanocristallino a partire da composti di MnII o MnIV.[8][9][10][11]

Reattività[modifica | modifica wikitesto]

Mn3O4 catalizza varie reazioni, tra le quali l'ossidazione del metano a monossido di carbonio,[12][13] la decomposizione del monossido di azoto,[14] la riduzione del nitrobenzene a nitrosobenzene,[15] e la combustione catalitica di composti organici.[16]

Applicazioni[modifica | modifica wikitesto]

Mn3O4 di elevata purezza viene usato nella fabbricazione di semiconduttori e magneti ceramici.[17]

Note[modifica | modifica wikitesto]

Bibliografia[modifica | modifica wikitesto]

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