PMOS

Цю статтю потрібно повністю переписати відповідно до стандартів якості Вікіпедії. Ви можете допомогти, переробивши її. Можливо, сторінка обговорення містить зауваження щодо потрібних змін. (березень 2019)

Ця стаття не містить посилань на джерела. Ви можете допомогти поліпшити цю статтю, додавши посилання на надійні (авторитетні) джерела. Матеріал без джерел може бути піддано сумніву та вилучено. (січень 2016)

pMOS — технологія виробництва напівпровідникових елементів. На її основі будувалися елементи пам'яті, такі, як Intel 1702, К505РР1. Це серія МОН мікросхем з електричним записом і ультрафіолетовим стиранням. В основі — лавиноподібний пробій pn переходу зворотною напругою (до 50 В). Основний носій — електрони, оскільки за технологією того часу інжектувати електрони в ізольований шар було простіше. Одна комірка пам'яті будувалася на двох транзисторах. За теоретичними даними комірка могла зберігати інформацію до 10 років.

Див. також[ред. | ред. код]

• КМОН
• NMOS

Це незавершена стаття з технології. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її.