酸化物半導体
 | この項目の現在の内容は百科事典というよりは辞書に適しています。 |
酸化物半導体（さんかぶつはんどうたい）は、半導体の一つ。金属をカチオンとして用いたものが大多数で、多くが広いバンドギャップを有し、可視光域の電磁波を透過する。中には高い電荷担体濃度や移動度を示すものもあり、これらの特徴を用いた様々な用途が考案されている。代表的なものに酸化亜鉛や二酸化スズ、酸化インジウムやITO（通常In2O3:SnO2 = 90:10 [wt%]）がある。多くは電子を電荷担体としたn型であるが、酸化銅や酸化銀、また一酸化スズなどの正孔を電荷担体としたp型も報告されている。代表的な用途としては透明伝導膜や超伝導、センサーなどが研究されている[1][2][3]。
脚注[編集]
- ^ Ito, M. "透明アモルファス酸化物半導体の電子ペーパーへの応用 (Application of Amorphous Oxide Semiconductor for e-papers)."
- ^ Kumomi, H. "アモルファス酸化物半導体 TFT とその OLED 駆動素子への応用 (Amorphous Oxide Semiconductor-Based TFT and Its Application for OLED)." 132.
- ^ 玉置純, 長岡忠仁, 山本善史, 松岡政夫、「Co3O4-Fe2O3複合体を用いた酸化物半導体センサのNOx検知特性」 『電気学会論文誌Ｅ（センサ・マイクロマシン部門誌）』 1998年 118巻 2号 p.125-129, doi:10.1541/ieejsmas.118.125
参考文献[編集]
- 田村英雄, 米山宏、「酸化物半導体の電気化学特性」 『電気化学および工業物理化学』 1980年 48巻 6号 p.335-343, doi:10.5796/kogyobutsurikagaku.48.335, 電気化学会
- 竹森, 若林, 白江. "金属酸化物半導体ガスセンサを用いたガス識別システム, 第 4 回化学センサ研究発表会." (1985).
- 西原美一、「遷移金属酸化物の電子構造と物性」 『日本物理学会誌』 1994年 49巻 10号 p.811-818, doi:10.11316/butsuri1946.49.811, 日本物理学会
- 三浦則雄, 高橋理, 阿武裕一 ほか、「牛肉の鮮度評価を目指した酸化物半導体ガスセンサの開発」 『電気学会論文誌Ｅ（センサ・マイクロマシン部門誌）』 1997年 117巻 6号 p.306-313, doi:10.1541/ieejsmas.117.306, 電気学会
- 細野秀雄、「酸化物半導体: 総論 (小特集 酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望)」 『電子情報通信学会誌』 97.3 (2014): 178-186, NAID 110009805470
