ファイル:EUV photoelectrons and secondaries.jpeg

EUV_photoelectrons_and_secondaries.jpeg(642 × 514 ピクセル、ファイルサイズ: 27キロバイト、MIME タイプ: image/jpeg)

概要

解説
English: Top: EUV multilayer and absorber (purple)constituting mask pattern for imaging a line. Bottom: EUV radiation (red) reflected from the mask pattern is absorbed in the resist (amber) and substrate (brown), producing photoelectrons and secondary electrons (blue). These electrons increase the extent of chemical reactions in the resist, beyond that defined by the original light intensity pattern. As a result, a secondary electron pattern that is random in nature is superimposed on the optical image. The unwanted secondary electron exposure results in loss of resolution, observable line edge roughness and linewidth variation. Refs.: N. Felix et al., Proc. SPIE 9776, 97761O (2016); A. Saeki et al., Nanotech. 17, 1543 (2006); T. Kozawa et al., JVST B 25, 2295 (2007).
日付 2008年5月13日 (当初のアップロード日)
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作者 Guiding light at en.wikipedia
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  • 2008-05-13 06:04 Guiding light 642×514× (27374 bytes) Top: EUV multilayer and absorber (purple)constituting mask pattern for imaging a line. Bottom: EUV radiation (red) reflected from the mask pattern is absorbed in the resist (amber) and substrate (brown), producing photoelectrons and secondary electrons (b

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13 5 2008

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現在の版2011年11月9日 (水) 15:152011年11月9日 (水) 15:15時点における版のサムネイル642 × 514 (27キロバイト)File Upload Bot (Magnus Manske) {{BotMoveToCommons|en.wikipedia|year={{subst:CURRENTYEAR}}|month={{subst:CURRENTMONTHNAME}}|day={{subst:CURRENTDAY}}}} {{Information |Description={{en|Top: EUV multilayer and absorber (purple)constituting mask pattern for imaging a line. Bottom: EUV radi

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