Mohamed M. Atalla

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Martin Atalla

Biographie

Naissance	4 août 1924 Port-Saïd
Décès	30 décembre 2009 (à 85 ans) Atherton
Pseudonymes	Martin Atalla, John Atalla
Nationalité	égyptienne
Formation	Université Purdue
Activités	Ingénieur, physicien

Autres informations

Distinction	National Inventors Hall of Fame (2009)

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Mohamed M. Atalla (arabe : محمد عطاالله ; 4 août 1924^[Quoi ?] - 30 décembre 2009) est un ingénieur, chimiste, cryptographe, inventeur et entrepreneur égypto-américain.

Biographie[modifier | modifier le code]

Il était un pionnier des semi-conducteurs qui a apporté d'importantes contributions à l'électronique moderne. Il est surtout connu pour avoir inventé le MOSFET (transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur, ou transistor MOS) en 1959 (avec son collègue Dawon Kahng), qui, avec les premiers procédés de passivation de surface et d'oxydation thermique d'Atalla, a révolutionné l'industrie électronique. Il est également connu comme le fondateur de la société de sécurité des données Atalla Corporation (maintenant Utimaco Atalla), fondée en 1972. Il a reçu la médaille Stuart Ballantine (maintenant la médaille Benjamin Franklin en physique) et a été intronisé au National Inventors Hall of Fame pour ses contributions importantes à la technologie des semi-conducteurs ainsi qu'à la sécurité des données.

Né à Port-Saïd, en Égypte, il a fait ses études à l'Université du Caire en Égypte, puis à l'Université Purdue aux États-Unis, avant de rejoindre les Bell Labs en 1949 et d'adopter plus tard les noms plus anglicisés « John » ou « Martin » M. Atalla comme noms professionnels. Il a fait plusieurs contributions importantes à la technologie des semi-conducteurs chez Bell, y compris son développement des processus de passivation de surface et d'oxydation thermique (la base de la technologie des semi-conducteurs au silicium tels que le procédé planar et les puces de circuits intégrés monolithiques), son invention du MOSFET avec Kahng en 1959, et les procédés de fabrication PMOS et NMOS. Le travail de pionnier d'Atalla chez Bell a contribué à l'électronique moderne, à la révolution du silicium et à la révolution numérique. Le MOSFET en particulier est le bloc de construction de base de l'électronique moderne et est considéré comme l'une des inventions les plus importantes de l'électronique. C'est également l'appareil le plus fabriqué de l'histoire, et l'Office américain des brevets et des marques l'appelle une « invention révolutionnaire qui a transformé la vie et la culture dans le monde entier ».

Son invention du MOSFET a d'abord été négligée chez Bell, ce qui l'a conduit à démissionner de Bell et à rejoindre Hewlett-Packard (HP), fondant son Semiconductor Lab en 1962 puis HP Labs en 1966, avant de partir pour rejoindre Fairchild Semiconductor, fondant son Microwave & division Optoélectronique en 1969. Ses travaux chez HP et Fairchild comprenaient des recherches sur les technologies des diodes Schottky, de l'arséniure de gallium (GaAs), du phospho-arséniure de gallium (GaAsP), de l'arséniure d'indium (InAs) et des diodes électroluminescentes (LED).

Il a ensuite quitté l'industrie des semi-conducteurs et est devenu entrepreneur dans le domaine de la cryptographie et de la sécurité des données. En 1972, il fonde Atalla Corporation et dépose un brevet pour un système de sécurité à distance par numéro d'identification personnel (PIN). En 1973, il a sorti le premier module de sécurité matériel, la "Atalla Box", qui cryptait les messages PIN et ATM, et a continué à sécuriser la majorité des transactions ATM dans le monde. Il a ensuite fondé la société de sécurité Internet TriStrata Security dans les années 1990. En reconnaissance de son travail sur le système PIN de gestion de la sécurité de l'information ainsi que sur la cybersécurité, Atalla a été désigné comme le "père du PIN" et un pionnier de la sécurité de l'information. Il est décédé à Atherton, en Californie, le 30 décembre 2009.

Bibliographie[modifier | modifier le code]

Education (1924 - 1949)[modifier | modifier le code]

Mohamed M. Atalla^[1] est né à Port-Saïd, en Égypte. Il a étudié à l’Université du Caire en Égypte, où il a obtenu son baccalauréat ès sciences. Il s’est ensuite rendu aux États-Unis, étudiant le génie mécanique à l’Université Purdue. Il obtient sa maîtrise en 1947 et son doctorat en 1949, tous deux en génie mécanique. Sa thèse de maîtrise était «High Speed Flow in Square Diffusers» publiée en 1948, et sa thèse de doctorat était « High Speed Compressible Flow in Square Diffusers» publiée en janvier 1949^[2].

Laboratoires téléphoniques Bell (1949-1962)[modifier | modifier le code]

Après avoir terminé son doctorat à l'Université Purdue, Mohamed M. Atalla a été employé chez Bell Téléphone Laboratoires (BTL) en 1949^[3]. En 1950, il a commencé à travailler dans les opérations de Bell à New York, où il a travaillé sur des problèmes liés à la fiabilité des relais électromécaniques^[4], et a travaillé sur les réseaux téléphoniques à commutation de circuits^[5]. Avec l'émergence des transistors, Atalla a été transféré au laboratoire de Murray Hill, où il a commencé à diriger une petite équipe de recherche sur les transistors en 1956. Bien qu'il soit issu d'un génie mécanique et n'ayant aucune formation formelle en chimie physique, il s'est avéré être un apprenant rapide en chimie physique et en physique des semi -conducteurs, démontrant finalement un haut niveau de compétence dans ces domaines. Il a étudié, entre autres, les propriétés de surface des semi-conducteurs en silicium et l'utilisation de la silice comme couche protectrice des dispositifs semi-conducteurs en silicium. Il a finalement adopté les pseudonymes d'alias "Martin" M. Atalla ou "John" M. Atalla pour sa carrière professionnelle^[6].

Entre 1956 et 1960, Atalla a dirigé une petite équipe de plusieurs chercheurs de BTL, dont Eileen Tannenbaum, Edwin Joseph Scheibner et Dawon Kahng. Ils étaient de nouvelles recrues à BTL, comme lui, sans chercheurs seniors dans l'équipe. Leur travail n'a d'abord pas été pris au sérieux par la haute direction de BTL et son propriétaire AT&T, en raison de l'équipe composée de nouvelles recrues, et du chef d'équipe Atalla lui-même issu d'une formation en génie mécanique, contrairement aux physiciens, physico-chimistes et mathématiciens qui ont été pris plus au sérieux, bien qu'Atalla ait démontré des compétences avancées en chimie physique et en physique des semi-conducteurs^[7].

Bien qu'ils travaillent principalement seuls, Atalla et son équipe ont fait des progrès significatifs dans la technologie des semi-conducteurs. Selon Chih-Tang Sah, ingénieur chez Fairchild Semiconductor, le travail d'Atalla et de son équipe de 1956 à 1960 a été "l'avancée technologique la plus importante et la plus significative" dans la technologie des semi-conducteurs au silicium^[8], y compris l'histoire des transistors et microélectronique^[9].

Passivation de surface par oxydation thermique[modifier | modifier le code]

Le principal objectif de la recherche d’Attalla était de résoudre le problème des états de surface du silicium. À cette époque, la conduction électrique de matériaux semi-conducteurs comme le germanium et le silicium était limité par des états de surface quantiques instables, c'est-à-dire que des électrons sont piégés à la surface, en raison de liaisons libres causées par des liaisons non saturées à la surface. Cela empêche l’électricité de pénétrer la surface de manière fiable pour atteindre la couche de silicium semi-conducteur. En raison du problème d’état de surface, le germanium était le matériau semi-conducteur prédominant pour les transistors et autres dispositifs semi-conducteurs dans l’ancienne industrie des semi-conducteurs, car le germanium était en mesure d’augmenter la mobilité des électrons^[10],[11].

Distinctions[modifier | modifier le code]

• Médaille Stuart Ballantine (maintenant la médaille Benjamin Franklin en physique) au Franklin Institute Award 1975 pour ses contributions significatives à la technologie des semi-conducteurs au silicium et à l'invention du MOSFET^[12],[13].
• En 2003, Atalla a reçu un doctorat distingué d'anciens élèves de l'Université Purdue^[14].
• En 2009, il a été intronisé dans le « National Inventors Hall of Fame » pour ses contributions importantes dans la technologie des semi-conducteurs^[15]. Il a été connu comme l’un des "Sultans de Silicium" avec plusieurs autres pionniers de semi-conducteurs^[16].
• En 2014, l’invention de 1959 de MOSFET a été inscrite sur la liste de « IEEE milestones » en électroniques^[17].
• En 2015, Atalla a été inclus dans le tableau d’honneur de la IT History Society pour ses contributions importantes dans le domaine des technologies de l’information^[18].

Références[modifier | modifier le code]

Liens externes[modifier | modifier le code]

• (en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Mohamed M. Atalla » (voir la liste des auteurs).

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