مدل دیل-گروو
مدل دیل-گروو از نظر ریاضی رشد یک لایه اکسید در سطح یک ماده را توصیف می‌کند. به طور خاص، از آن برای پیش بینی و تفسیر اکسایش حرارتی سیلیکون در ساخت ادوات نیم‌رسانا استفاده می‌شود.[۱] این مدل برای اولین بار در سال ۱۹۶۵ توسط بروس دیل و اندرو گروو از فرچایلد سمیکانداکتر منتشر شد، [۲] کار بروی غیرفعال‌سازی سطح سیلیکون محمد عطاالله با استفاده از اکسایش حرارتی در آزمایشگاه‌های بل در اواخر دهه ۵۰ ساخته شد.[۳] این به عنوان گامی در توسعه ادوات سیماس و ساخت مدارهای مجتمع بکار رفته است .
فرضیات فیزیکی[ویرایش]
این مدل فرض می‌کند که واکنش اکسیایش در واسط بین لایه اکسید و ماده زیرلایه بیشتر از حدِ بین اکسید و گاز محیط رخ می‌دهد.[۱] بنابراین، سه پدیده که گونه‌های اکسیدکننده در معرض آن قرار دارند را در نظر می‌گیرد:
- واپخشی از انباشتن گاز محیط به سطح.
- واپخشی از طریق لایه اکسید موجود به رابط اکسید-زیرلایه.
- واکنش با زیرلایه.
منابع[ویرایش]
- ↑ ۱٫۰ ۱٫۱ Liu, M.; Peng, J.; et al. (2016). "Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires". Theoretical and Applied Mechanics Letters. 6 (5): 195–199. doi:10.1016/j.taml.2016.08.002.
- ↑ Deal, B. E.; A. S. Grove (December 1965). "General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon". Journal of Applied Physics. 36 (12): 3770–3778. doi:10.1063/1.1713945.
- ↑ Yablonovitch, E. (20 October 1989). "The Chemistry of Solid-State Electronics" (PDF). Science. 246 (4928): 347–351. doi:10.1126/science.246.4928.347. ISSN 0036-8075.
Beginning in the mid-1950s, Atalla et al. began work on the thermal oxidation of Si. The oxidation recipe was gradually perfected by Deal, Grove, and many others.
کتابشناسی - فهرست کتب[ویرایش]
- Massoud, H. Z.; J.D. Plummer (1985). "Thermal oxidation of silicon in dry oxygen: Accurate determination of the kinetic rate constants". Journal of the Electrochemical Society. 132 (11): 2693–2700. doi:10.1149/1.2113649.
- Jaeger, Richard C. (2002). "Thermal Oxidation of Silicon". Introduction to Microelectronic Fabrication (2nd ed.). Upper Saddle River: Prentice Hall. ISBN 0-201-44494-1.
- Deal, B. E.; A. S. Grove (December 1965). "General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon". Journal of Applied Physics. 36 (12): 3770–3778. doi:10.1063/1.1713945.